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產品概述：
slkor薩科微2SA1162-Y是一款功能強大、性能穩定的PNP型三極管，適用于多種電子應用領域。其優越的特性和廣泛的應用范圍使其成為電子產品設計中的重要元件。
產品特性：
晶體管類型：PNP
集射極擊穿電壓(Vceo): -50V
集電極電流(Ic): -150mA
功率(PD): 150mW
集電極截止電流(Icbo): -100nA
集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.3V@-100mA,-10mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 70@-2mA, -6V
特征頻率(fT): 80MHz
工作溫度：最高+150℃@(Tj)
封裝：TO-92
應用領域：
低功耗電子設備、控制電路、信號放大器和開關電路等領域。
各種電子產品的信號處理、功率放大和開關控制。
產品優勢：
低功耗設計：適用于低功率應用，能夠提高效率并降低能耗。
高性能特性：具有較低的飽和電壓和截止電流，有助于提高性能并減少能量損耗。
高頻特性：特征頻率達到80MHz，適用于中等頻率應用，保證信號傳輸穩定。
穩定性：具有較高的直流電流增益，在信號放大過程中能夠保持穩定性。
注意事項：
控制工作溫度：確保工作溫度不超過+150℃，以免影響晶體管的性能和壽命。
合理布局和散熱：在設計電路時要進行合理布局，并確保良好的散熱，避免過載使用導致損壞。
關于薩科微 Slkor：
薩科微 Slkor是一家致力于提供高品質、高性能半導體器件的制造商，擁有先進的技術和嚴格的質量控制體系，為客戶的設計提供最佳的解決方案和支持。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| 2SA1162-Y SOT-23.pdf | 2SA1162-Y SOT-23 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -20V 集電極電流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): 0.5uA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征頻率(fT): 60MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-60V 集電極電流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集電極截止電流(Icbo)：-10μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征頻率(fT)：- 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -80V 集電極電流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征頻率(fT): 20MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：32V 集電極電流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：0.5μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征頻率(fT)：150MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -32V 集電極電流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征頻率(fT): 100MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：-0.1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征頻率(fT)：180MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集電極截止電流(Icbo)：-100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流電流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -120V 集電極電流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集電極截止電流(Icbo): -100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征頻率(fT): 120MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
