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ZVS零電壓開關(guān)反激

在傳統(tǒng)以及準(zhǔn)諧振反激形式應(yīng)用中，由于MOS導(dǎo)通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現(xiàn)，很好的解決了這些痛點。先從反激應(yīng)用電路開始分析，再轉(zhuǎn)到ZVS零電壓開關(guān)電路應(yīng)用一. 反激應(yīng)用中MOSFET的損耗分析 MOSFET的損耗主要包括如下幾個部分：1. 導(dǎo)通損耗導(dǎo)通損耗是比較容易理解的，即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。降低這個損耗也
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關(guān)于WLCSP晶圓級芯片封裝技術(shù)介紹

WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）是一種晶圓級芯片封裝方式，有別于傳統(tǒng)的芯片封裝方式（切割、封裝、測試，封裝后原始芯片數(shù)量會增加至少20%）。整個晶圓封裝測試后，切割成單個IC顆粒，因此封裝體積與IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封裝方式不僅顯著減小了內(nèi)存模塊的尺寸，還滿足了移動設(shè)備對體空間的高密度要求。另一方面，在性能方面，也提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性。
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主流室內(nèi)定位技術(shù)

室內(nèi)定位技術(shù)具有廣闊的應(yīng)用前景，可與寬帶移動互聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、高性能計算等技術(shù)相結(jié)合，形成新型綜合應(yīng)用，在提升空間基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)能力和服務(wù)水平，提升城市在重大災(zāi)害、公共安全和應(yīng)急救援領(lǐng)域的服務(wù)能力，助力醫(yī)療健康和養(yǎng)老等社會服務(wù)網(wǎng)絡(luò)化、定制化的進程，促進技術(shù)創(chuàng)新和商業(yè)模式創(chuàng)新融合發(fā)展。
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關(guān)于SiGe 和 RFSOI 工藝中的 Sub6GLNA 設(shè)計

射頻器件的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新在從4G到5G的演進過程中，射頻器件的復(fù)雜性逐漸增加，產(chǎn)品在設(shè)計、工藝、材料等方面也發(fā)生了逐步的變化。同時，射頻前端面臨功耗、尺寸、天線數(shù)量、芯片設(shè)計、溫度漂移、信號干擾、不同類型信號和諧共存等諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。如何解決這些問題是當(dāng)今工業(yè)和射頻器件創(chuàng)新的重點。隨著半導(dǎo)體材料的發(fā)展，通過替代Si、GaAs、GaN等RF材料以及陶瓷、玻璃等封裝基板材料，提高功耗、效率、發(fā)熱、尺寸等當(dāng)然很重要。用于開發(fā)射頻設(shè)備。革新。但除了材料創(chuàng)新，射頻器件還有哪些創(chuàng)新方式？
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CAN與RS485總線對比情況

CAN總線和RS485總線應(yīng)用概述之前，PC與智能設(shè)備之間的通信主要使用RS232、RS485、以太網(wǎng)等，這取決于設(shè)備的接口規(guī)格。但是，RS232和RS485只能代表通信的物理介質(zhì)層和鏈路層。如果要實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的雙向訪問，則需要編寫自己的通信應(yīng)用程序，但這些程序大多不能滿足 ISO/OSI 規(guī)范，只能實現(xiàn)。該程序是適用于單一設(shè)備類型的單一功能，并不具有通用性。在由 RS232 或 RS485 設(shè)備組成的設(shè)備網(wǎng)絡(luò)中，如果設(shè)備數(shù)量超過 2 個，則必須使用 RS485 作為通信介質(zhì)
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WiFi6的江湖

WiFi6技術(shù)背景 Wi-Fi 6（原稱：IEEE 802.11.ax）即第六代無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，是Wi-Fi標(biāo)準(zhǔn)的名稱。是Wi-Fi聯(lián)盟創(chuàng)建于IEEE 802.11標(biāo)準(zhǔn)的無線局域網(wǎng)技術(shù)。Wi-Fi 6將允許與多達8個設(shè)備通信，最高速率可達9.6Gbps。 2019年9月16日，Wi-Fi聯(lián)盟宣布啟動Wi-Fi 6認(rèn)證計劃。于2020年1月3日將使用6GHz頻段的IEEE 802.11ax稱為Wi-Fi 6E。功能特點 Wi-Fi 6主要使用了
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“他激晶體振蕩器”如何替代核心芯片功能

前言現(xiàn)在這個無論是哪一個都要擁有創(chuàng)新能力，然后才能走在發(fā)展的前沿，就像俄羅斯一樣，俄方作出表率，走出新思路研制新技術(shù)，基礎(chǔ)上不怕美國芯片卡脖子。很多人看到關(guān)于俄羅斯的報道，應(yīng)該提到的都是這一個關(guān)于武器方面的研制，但是說到芯片技術(shù)俄羅斯卻很少會提到，這是因為俄羅斯繼承了蘇聯(lián)軍事上的制造能力，但是芯片的核心技術(shù)卻沒有。所以經(jīng)過了那么多年的發(fā)展之后，俄羅斯還是沒有能夠研制出自己的芯片系統(tǒng)，很多人都會疑問，像中國這樣一個芯片研制投入比較大的到
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UFS和eMMC的區(qū)別

1、讀取速度不同 UFS 2.0的速度是eMMC 5.1的三倍，而UFS 2.1的持續(xù)寫入速度并沒有對UFS 2.0造成碾壓，但依舊很高，達到了180MB/s。目前市場上主流的UFS2.0，單lane能夠支持到最高600MB/S，如果是雙lane設(shè)計那么可以跑到1200MB/S，對比eMMC HS400模式只能跑到400MB/S(這還是eMMC可以支持的最大理論值)確實有了顯著的提高。后續(xù)更的UFS3.0版本還會跑到更快的雙通道2400MB/S。 2、串行接口不同 eMMC是
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帶通濾波電流源設(shè)計交流

摘要：運放（operational amplifier）能對信號進行數(shù)學(xué)運算的放大電路。它曾是模擬計算機的基礎(chǔ)部件，采用集成電路工藝制做的運算放大器，除保持了原有的很高的增益和輸入阻抗的特點之外，還具有精巧、廉價和可靈活使用等優(yōu)點，因而在有源濾波器、開關(guān)電容電路、數(shù)-模和模-數(shù)轉(zhuǎn)換器、直流信號放大、波形的產(chǎn)生和變換，以及信號處理等方面得到十分廣泛的應(yīng)用。電流源給定的電流，此線路通電流為定值，與你的負(fù)載阻關(guān)于電流源，由麻省理工學(xué)院Brad Howland發(fā)明的運
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儀放壓縮感知及?混合電路設(shè)計應(yīng)用

關(guān)于差分輸入、PGA和儀表放大器及混合SOC設(shè)計，最近整理一些交流心得分享下面是微群里的聊天記錄之前群里交流的內(nèi)容多數(shù)還是在應(yīng)用市場和商務(wù)MARCON上. 不妨換個角度，聊聊芯片內(nèi)部的話題, 比如SOC, AFE, MCU 低功耗的設(shè)計. 針對于數(shù)字和模擬芯片設(shè)計者，大家對一款通用器件的理解和出發(fā)點是不一樣的。比如, 可能大家對儀表放大器理解的角度就會有所不同吧，將差分輸入，MUX, BUFFER, PGA Gain都合起來可稱為儀放功能再后級加ADC
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